金属化薄膜电容是以有机塑料薄膜做介质，以金属化薄膜做电极，通过卷绕方式制成（叠片结构除外）制成的电容。金属化薄膜电容是在薄膜的表面蒸镀一层金属膜代替金属箔做为电极，因为金属化膜层的厚度远小于金属箔的厚度，因此卷绕后体积也比金属箔式电容体积小很多。

公司电容薄膜主要供应商是：、（年生产金属化薄膜产品1500吨）、（成立于2007年2月，生产电容器用金属化膜及金属化薄膜电容器）、（电容器用聚丙烯电子薄膜拥有两大类、七个品种，产品厚度规格涵盖了2.8—18微米的范围）等。

主要缺点为耐受大电流能力较差，这是由于金属化膜层比金属箔要薄很多，承载大电流能力较弱。为改善金属化薄膜电容器这一缺点，在制造工艺上已有改进的大电流金属化薄膜电容产品，其主要改善途径有：A、用双面金属化薄膜做电极；B、增加金属化镀层的厚度；C、端面金属焊接工艺改良，降低接触电阻。

金属化膜电容的优点是特性。所谓自愈特性就是假如薄膜介质由于在某点存在缺陷以及在过电压作用下出现击穿短路，而击穿点的金属化层可在电弧作用下瞬间熔化蒸发而形成一个很小的无金属区，使电容的两个极片重新相互绝缘而仍能继续工作，因此加强了电容器工作的可靠性。

主要缺点为耐受大电流能力较差，这是由于金属化膜层比金属箔要薄很多，承载大电流能力较弱。为改善金属化薄膜电容器这一缺点，在制造工艺上已有改进的大电流金属化薄膜电容产品，其主要改善途径有：

金属化薄膜电容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除了卷绕型之外，也有叠层型。金属化薄膜这种型态的电容器具有一种所谓的自我复原作用(SelfHealingAction)，即假设电极的微小部分因为电界质脆弱而引起短路时，引起短路部分周围的电极金属，会因当时电容器所带的静电能量或短路电流，而引发更大面积的溶融和蒸发而恢复绝缘，使电容器再度恢复电容器的作用。

金属化薄膜电容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除了卷绕型之外，也有叠层型。金属化薄膜这种型态的电容器具有一种所谓的自我复原作用(SelfHealingAction)，即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引起短路时，引起短路部份周围的电极金属，会因当时电容器所带的静电能量或短路电流，而引发更大面积的溶融和蒸发而恢复绝缘，使电容器再度恢复电容器的作用。

主要产品为聚丙烯电子薄膜产品，分为基膜和金属化膜两大类.公司是国内最大的专业电子薄膜制造企业之一，现已成为国内超薄型耐高温聚丙烯电子薄膜和金属化安全膜的主导供应商之一，主要产品在技术水平、产品质量等方面处于行业领先地位，其中超薄型薄膜、耐高温薄膜、安全防爆膜和高压电力电容器薄膜等高端产品的竞争优势显著。

金属化薄膜这种型态的电容器具有一种所谓的自我复原作用，即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引起短路时，引起短路部份周围的电极金属，会因当时电容器所带的静电能量或短路电流，而引发更大面积的溶融和蒸发而恢复绝缘，使电容器再恢复电容器的作用。

薄膜挤出等级用于可回收的PE单材料包装薄膜、热成型薄膜和片材、保护性包装、收缩套管和标签、缠绕膜、金属化薄膜和密封胶薄膜。

CBB电容指的就是使用的原材料主要是聚丙烯薄膜，而CL电容指的是使用的原材料主要是聚酯薄膜，所以CL21型电容器使用的材料为金属化也聚酯薄膜。

这几年，电力电容器行业发展迅猛，市场上一般的电容器的填充物大致可分为：油类、石蜡、蛭石、黑胶等。此类电容若因特殊原因电容温度升高，油类有助燃、易燃的特性；石蜡会融化，对金属化薄膜产生溶胀作用，产生气体，影响电容器容值；蛭石导热性差，会使温度升高，损坏电容器，从而影响电容器的安全运行。另外，采用环氧树脂和惰性气体为填充物的电容器，性质稳定，导热散热性能良好，高温状态下，性质稳定，能够保证电力电容器安全运行。

前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此，半导体制造过程可以理解为循环进行。

公司是中国最大的薄膜电容器和铝金属化薄膜生产企业。具有行业领先的规模经营优势、综合配套优势、技术优势和产品质量优势。年产薄膜电容器，金属化薄膜2500吨。是中国唯一一家进入全球直流薄膜电容器和金属化薄膜制造商前十名的企业。

前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此，半导体制造过程可以理解为循环进行。薄膜沉积作为，与光刻和刻蚀，共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。

基膜和有色金属为主要原材料：薄膜电容器主要原材料为有色金属和各类高分子薄膜材料（基膜，包括聚丙烯膜、聚酯膜等），其他原材料包括树脂材料、引线及引片材料、壳体材料。金属化膜材料成本占比高。金属化膜是在真空中将高纯度金属加热气化、蒸发并沉积在介质薄膜上，经分切、检查、包装后得到的制造薄膜电容器所需的复合材料，关键工序为蒸镀和分切。金属化膜在薄膜电容器材料成本中占比较高，预计占比50%-60%。

薄膜电容将聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯及聚碳酸酯等塑料薄膜作为介质，以金属箔，金属蒸银层及金属化薄膜做电极，镀锡铜包钢线作为引脚，从两端重叠后，卷绕成圆筒状结构，用阻燃环氧树脂封装而成的电容器。种类之多，型号之多，应用广泛。今天要讲的CBB电容就属于薄膜电容，是金属化聚丙烯薄膜电容。

薄膜金属化法采用溅射镀膜等真空镀膜法使膜材料和基板结合在一起，由于是气相沉积，原则上任何金属都可以成膜，任何基板都可以金属化，而且沉积的金属层均匀，结合强度高。但薄膜金属化需要后续图形化工艺实现金属引线的图形制备，成本较高。

在这种电路中，薄膜电容的作用就是滤除外界电网的高频脉冲对电源的干扰，同时也起到减少开关电源本身对外界的电磁干扰。EMI电路主要用到的薄膜电容器包括金属化聚丙烯薄膜的安规电容。

晶圆制造包括氧化扩散、光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、清洗与抛光、金属化七大流程。半导体设备是半导体生产流程的基础，半导体设备先进程度直接决定了半导体生产的质量和效率。其中薄膜沉积设备制造技术难度大，门槛极高，是半导体制造工艺中的三大核心设备之一（另外两者为光刻设备和刻蚀设备）。